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ON Semiconductor NTMSD2P102LR2G

Name: NTMSD2P102LR2G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTMSD2P102LR2G
Availability: InStock
Rating: 4.7 (766 reviews)

Numéro de pièce MFG: NTMSD2P102LR2G

quantité disponible: 64610 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: FETKY™ MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NTMSD2P102LR2G.pdf

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NTMSD2P102LR2G Caractéristiques

Référence fabricant	NTMSD2P102LR2G
Numéro de pièce future	FT-NTMSD2P102LR2G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	FETKY™
NTMSD2P102LR2G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	750pF @ 16V
Caractéristique FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max)	710mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-SOIC
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTMSD2P102LR2G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NTMSD2P102LR2G-FT

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