maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / NTMSD2P102LR2G
Référence fabricant | NTMSD2P102LR2G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NTMSD2P102LR2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FETKY™ |
NTMSD2P102LR2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.3A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 16V |
Caractéristique FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipation de puissance (max) | 710mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMSD2P102LR2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NTMSD2P102LR2G-FT |
NTB60N06LT4
ON Semiconductor
NTB60N06LT4G
ON Semiconductor
NTB6410ANG
ON Semiconductor
NTB6411ANG
ON Semiconductor
NTB6411ANT4G
ON Semiconductor
NTB6412ANG
ON Semiconductor
NTB6412ANT4G
ON Semiconductor
NTB6413ANG
ON Semiconductor
NTB6448ANG
ON Semiconductor
NTB6448ANT4G
ON Semiconductor
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel