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ON Semiconductor NTMS4N01R2G

Numéro de pièce MFG
NTMS4N01R2G
quantité disponible
83680 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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NTMS4N01R2G Caractéristiques

Référence fabricant NTMS4N01R2G
Numéro de pièce future FT-NTMS4N01R2G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NTMS4N01R2G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 770mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
Paquet / caisse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTMS4N01R2G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NTMS4N01R2G-FT

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