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ON Semiconductor NTMFS6H800NT1G

Numéro de pièce MFG
NTMFS6H800NT1G
quantité disponible
67210 Pièces
Prix de référence
USD 2.65656
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- TRENCH 8 80V NFET
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
NTMFS6H800NT1G.pdf
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NTMFS6H800NT1G Caractéristiques

Référence fabricant NTMFS6H800NT1G
Numéro de pièce future FT-NTMFS6H800NT1G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NTMFS6H800NT1G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 28A (Ta), 203A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 330µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5530pF @ 40V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / caisse 8-PowerTDFN, 5 Leads
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTMFS6H800NT1G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NTMFS6H800NT1G-FT

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