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ON Semiconductor NTMFS4C10NT1G-001

Name: NTMFS4C10NT1G-001
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTMFS4C10NT1G-001
Availability: InStock
Rating: 4.5 (417 reviews)

Numéro de pièce MFG: NTMFS4C10NT1G-001

quantité disponible: 46430 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NTMFS4C10NT1G-001.pdf

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NTMFS4C10NT1G-001 Caractéristiques

Référence fabricant	NTMFS4C10NT1G-001
Numéro de pièce future	FT-NTMFS4C10NT1G-001
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
NTMFS4C10NT1G-001 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	8.2A (Ta), 46A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.95 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	18.6nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	987pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	750mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / caisse	8-PowerTDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTMFS4C10NT1G-001 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NTMFS4C10NT1G-001-FT

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