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ON Semiconductor NTLJS3A18PZTXG

Name: NTLJS3A18PZTXG
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTLJS3A18PZTXG
Availability: InStock
Rating: 5.0 (483 reviews)

Numéro de pièce MFG: NTLJS3A18PZTXG

quantité disponible: 55680 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NTLJS3A18PZTXG.pdf

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NTLJS3A18PZTXG Caractéristiques

Référence fabricant	NTLJS3A18PZTXG
Numéro de pièce future	FT-NTLJS3A18PZTXG
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
NTLJS3A18PZTXG Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2240pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	700mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	6-WDFN (2x2)
Paquet / caisse	6-WDFN Exposed Pad
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTLJS3A18PZTXG Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NTLJS3A18PZTXG-FT

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