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ON Semiconductor NTLJD3182FZTBG
- Numéro de pièce MFG
- NTLJD3182FZTBG
- quantité disponible
- 25850 Pièces
- Prix de référence
- USD 0
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- ON Semiconductor
- Brève description
- - MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- NTLJD3182FZTBG.pdf
NTLJD3182FZTBG Caractéristiques
| Référence fabricant | NTLJD3182FZTBG |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-NTLJD3182FZTBG |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| NTLJD3182FZTBG Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Obsolete |
| Type de FET | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.2A (Ta) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 10V |
| Caractéristique FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Dissipation de puissance (max) | 710mW (Ta) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | 6-WDFN (2x2) |
| Paquet / caisse | 6-WDFN Exposed Pad |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NTLJD3182FZTBG Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | NTLJD3182FZTBG-FT |
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