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ON Semiconductor NTJD1155LT1G

Numéro de pièce MFG
NTJD1155LT1G
quantité disponible
98240 Pièces
Prix de référence
USD 0.1024
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
NTJD1155LT1G.pdf
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NTJD1155LT1G Caractéristiques

Référence fabricant NTJD1155LT1G
Numéro de pièce future FT-NTJD1155LT1G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NTJD1155LT1G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N and P-Channel
Caractéristique FET Standard
Drain à la tension source (Vdss) 8V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 400mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTJD1155LT1G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NTJD1155LT1G-FT

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