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Référence fabricant | NTHS2101PT1 |
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Numéro de pièce future | FT-NTHS2101PT1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NTHS2101PT1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 8V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5.4A (Tj) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 6.4V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.3W (Ta) |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | ChipFET™ |
Paquet / caisse | 8-SMD, Flat Lead |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTHS2101PT1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NTHS2101PT1-FT |
NTTFS4800NTWG
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NTTFS4840NTWG
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EP3C10F256I7
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