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ON Semiconductor NTGS3443T1G

Numéro de pièce MFG
NTGS3443T1G
quantité disponible
91120 Pièces
Prix de référence
USD 0.109336
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
NTGS3443T1G.pdf
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NTGS3443T1G Caractéristiques

Référence fabricant NTGS3443T1G
Numéro de pièce future FT-NTGS3443T1G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NTGS3443T1G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 2.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 565pF @ 5V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 6-TSOP
Paquet / caisse SOT-23-6
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTGS3443T1G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NTGS3443T1G-FT

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