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ON Semiconductor NTF3055-100T1G-IRH1

Name: NTF3055-100T1G-IRH1
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTF3055-100T1G-IRH1
Price: 0.463984 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (175 reviews)

Numéro de pièce MFG: NTF3055-100T1G-IRH1

quantité disponible: 80610 Pièces

Prix de référence: USD 0.463984

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fabricant: ON Semiconductor

Brève description: Automotive, AEC-Q101 NFET SOT223 60V 3A 0.100R

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NTF3055-100T1G-IRH1.pdf

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NTF3055-100T1G-IRH1 Caractéristiques

Référence fabricant	NTF3055-100T1G-IRH1
Numéro de pièce future	FT-NTF3055-100T1G-IRH1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101
NTF3055-100T1G-IRH1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	455pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.3W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	SOT-223 (TO-261)
Paquet / caisse	TO-261-4, TO-261AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTF3055-100T1G-IRH1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NTF3055-100T1G-IRH1-FT

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