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ON Semiconductor NTD3813N-1G

Numéro de pièce MFG
NTD3813N-1G
quantité disponible
84150 Pièces
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USD 0
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
NTD3813N-1G.pdf
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NTD3813N-1G Caractéristiques

Référence fabricant NTD3813N-1G
Numéro de pièce future FT-NTD3813N-1G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NTD3813N-1G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 16V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 9.6A (Ta), 51A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.75 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12.8nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 963pF @ 12V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.2W (Ta), 34.9W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur I-PAK
Paquet / caisse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTD3813N-1G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NTD3813N-1G-FT

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