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NTD25P03L1G Image

ON Semiconductor NTD25P03L1G

Numéro de pièce MFG
NTD25P03L1G
quantité disponible
63410 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET P-CH 30V 25A IPAK3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
NTD25P03L1G.pdf
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NTD25P03L1G Caractéristiques

Référence fabricant NTD25P03L1G
Numéro de pièce future FT-NTD25P03L1G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NTD25P03L1G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 25A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V
Vgs (Max) ±15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1260pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 75W (Tj)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur I-PAK
Paquet / caisse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTD25P03L1G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NTD25P03L1G-FT

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