maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / NTD18N06-1G
Référence fabricant | NTD18N06-1G |
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Numéro de pièce future | FT-NTD18N06-1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NTD18N06-1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 18A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.1W (Ta), 55W (Tj) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | I-PAK |
Paquet / caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTD18N06-1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NTD18N06-1G-FT |
MCH5839-TL-W
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MCH6321-TL-E
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5CGXFC4C7U19C8N
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