maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / NTBV5605T4G
Référence fabricant | NTBV5605T4G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NTBV5605T4G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NTBV5605T4G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 18.5A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 8.5A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1190pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 88W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTBV5605T4G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NTBV5605T4G-FT |
NVD4805NT4G
ON Semiconductor
NVD4808NT4G
ON Semiconductor
NVD4809NHT4G
ON Semiconductor
NVD4809NT4G
ON Semiconductor
NVD4810NT4G-VF01
ON Semiconductor
NVD4813NHT4G
ON Semiconductor
NVD4815NT4G
ON Semiconductor
NVD4856NT4G
ON Semiconductor
NVD5413NT4G
ON Semiconductor
NVD5484NLT4G
ON Semiconductor
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel