maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / NTB65N02RG
Référence fabricant | NTB65N02RG |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NTB65N02RG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NTB65N02RG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 65A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1330pF @ 20V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.04W (Ta), 62.5W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTB65N02RG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NTB65N02RG-FT |
IRL520NSTRR
Infineon Technologies
IRL530NSPBF
Infineon Technologies
IRL530NSTRL
Infineon Technologies
IRL530NSTRR
Infineon Technologies
IRL530NSTRRPBF
Infineon Technologies
IRL540NSPBF
Infineon Technologies
IRL540NSTRL
Infineon Technologies
IRL540NSTRR
Infineon Technologies
IRL540NSTRRPBF
Infineon Technologies
IRL5602S
Infineon Technologies
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel