maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / NSVMUN5316DW1T1G
Référence fabricant | NSVMUN5316DW1T1G |
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Numéro de pièce future | FT-NSVMUN5316DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NSVMUN5316DW1T1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 250mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMUN5316DW1T1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSVMUN5316DW1T1G-FT |
NSVBC114YDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC124EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA114YDXV6T1G
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NSVBC114YPDXV6T1G
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NSVBC144EPDXV6T1G
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NSBA123JDXV6T5G
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NSBA124XDXV6T1G
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NSVBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBA114YDXV6T1G
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NSVBC124XPDXV6T1G
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XC7A100T-1FTG256C
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LFE5UM5G-85F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4020XL-2HT176I
Xilinx Inc.
10M08DCF484I7G
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5SGXMA4K1F40C1N
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5SGXMA5N3F45I3LN
Intel
A1020B-1PLG44I
Microsemi Corporation
XC4044XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
10AX032E1F29E1SG
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel