maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / NSVMMUN2233LT3G
Référence fabricant | NSVMMUN2233LT3G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NSVMMUN2233LT3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NSVMMUN2233LT3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 246mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMMUN2233LT3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSVMMUN2233LT3G-FT |
MUN2215T1G
ON Semiconductor
MMUN2134LT1G
ON Semiconductor
SMUN2216T1G
ON Semiconductor
SMMUN2211LT3G
ON Semiconductor
MMUN2233LT1G
ON Semiconductor
MUN2235T1G
ON Semiconductor
NSVMMUN2131LT1G
ON Semiconductor
MMUN2211LT1G
ON Semiconductor
NSVMUN2237T1G
ON Semiconductor
MMUN2136LT1G
ON Semiconductor
XC7A50T-2FTG256C
Xilinx Inc.
A3P250-VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50VFC484-2
Intel
5SGXMA7N2F40C2N
Intel
EP4SE360H29C4N
Intel
LCMXO2-7000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-6FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6NES
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel
EP1SGX25FF1020C5N
Intel