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ON Semiconductor NSVMBD54DWT1G
- Numéro de pièce MFG
- NSVMBD54DWT1G
- quantité disponible
- 18650 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.15004
- Notre prix
- Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous
- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- ON Semiconductor
- Brève description
- Automotive, AEC-Q101 DIODE SCHOTTKY DUAL 30V SOT363
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Diodes - Redresseurs - Matrices
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- NSVMBD54DWT1G.pdf
NSVMBD54DWT1G Caractéristiques
| Référence fabricant | NSVMBD54DWT1G |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-NSVMBD54DWT1G |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | Automotive, AEC-Q101 |
| NSVMBD54DWT1G Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Configuration de la diode | 2 Independent |
| Type de diode | Schottky |
| Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
| Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA |
| Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 100mA |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 5ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 25V |
| Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Package d'appareils du fournisseur | SC-88 (SOT-363) |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NSVMBD54DWT1G Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | NSVMBD54DWT1G-FT |
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