maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / NSVIMD10AMT1G
Référence fabricant | NSVIMD10AMT1G |
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Numéro de pièce future | FT-NSVIMD10AMT1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
NSVIMD10AMT1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 13 kOhms, 130 Ohms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 285mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-74R |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVIMD10AMT1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSVIMD10AMT1G-FT |
XN0421300L
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XN0421400L
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M2GL010T-1VFG400
Microsemi Corporation
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EP2C70F672C6
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EPF10K200SBC600-1X
Intel
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XA6SLX25-3CSG324Q
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