maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / NSVDTC113EM3T5G
Référence fabricant | NSVDTC113EM3T5G |
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Numéro de pièce future | FT-NSVDTC113EM3T5G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NSVDTC113EM3T5G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 1 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 1 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 260mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-723 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-723 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVDTC113EM3T5G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSVDTC113EM3T5G-FT |
MUN5116T1G
ON Semiconductor
MUN5135T1G
ON Semiconductor
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XCV600E-7FG676C
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LFE2-20SE-5Q208I
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M1AGL600V2-FG484
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LFE3-35EA-9FTN256I
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Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6M132C
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