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ON Semiconductor NSVBAS19LT1G

Numéro de pièce MFG
NSVBAS19LT1G
quantité disponible
57510 Pièces
Prix de référence
USD 0.026824
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Diodes - Redresseurs - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
NSVBAS19LT1G.pdf
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NSVBAS19LT1G Caractéristiques

Référence fabricant NSVBAS19LT1G
Numéro de pièce future FT-NSVBAS19LT1G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NSVBAS19LT1G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de diode Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) 120V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) 200mA (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si 1.25V @ 200mA
La vitesse Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Temps de récupération inverse (trr) 50ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 100nA @ 100V
Capacité @ Vr, F 5pF @ 0V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareils du fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NSVBAS19LT1G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NSVBAS19LT1G-FT

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