maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / NSV9435T1G
Référence fabricant | NSV9435T1G |
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Numéro de pièce future | FT-NSV9435T1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NSV9435T1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 3A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 30V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 800mA, 1V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 550mV @ 300mA, 3A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Fréquence - Transition | 110MHz |
Puissance - Max | 720mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-223 (TO-261) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSV9435T1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSV9435T1G-FT |
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