maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / NSV60601MZ4T1G
Référence fabricant | NSV60601MZ4T1G |
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Numéro de pièce future | FT-NSV60601MZ4T1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NSV60601MZ4T1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 6A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 600mA, 6A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1A, 2V |
Puissance - Max | 800mW |
Fréquence - Transition | 100MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-223 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSV60601MZ4T1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSV60601MZ4T1G-FT |
2SA2029M3T5G
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NSVMMBT2222AM3T5G
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Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-8LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40I2LG
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EP20K100QC240-1
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EP20K60EQI208-2X
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