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ON Semiconductor NSV60101DMR6T1G
- Numéro de pièce MFG
- NSV60101DMR6T1G
- quantité disponible
- 18010 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.11088
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- ON Semiconductor
- Brève description
- Automotive, AEC-Q101 60V 1A DUAL NPN LOW VCE
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- NSV60101DMR6T1G.pdf
NSV60101DMR6T1G Caractéristiques
| Référence fabricant | NSV60101DMR6T1G |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-NSV60101DMR6T1G |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | Automotive, AEC-Q101 |
| NSV60101DMR6T1G Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de transistor | 2 NPN (Dual) |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
| Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 100mA, 1A |
| Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
| Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 5V |
| Puissance - Max | 530mW |
| Fréquence - Transition | 200MHz |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Package d'appareils du fournisseur | SC-74 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NSV60101DMR6T1G Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | NSV60101DMR6T1G-FT |
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