maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / NSV60100DMTWTBG
Référence fabricant | NSV60100DMTWTBG |
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Numéro de pièce future | FT-NSV60100DMTWTBG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NSV60100DMTWTBG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 NPN (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100mA, 2A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
Puissance - Max | 2.27W |
Fréquence - Transition | 155MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-WDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 6-WDFN (2x2) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSV60100DMTWTBG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSV60100DMTWTBG-FT |
BC847BPDXV6T1
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