maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / NSV20101JT1G
Référence fabricant | NSV20101JT1G |
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Numéro de pièce future | FT-NSV20101JT1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NSV20101JT1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 220mV @ 100mA, 1A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
Puissance - Max | 255mW |
Fréquence - Transition | 350MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-89, SOT-490 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-89-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSV20101JT1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSV20101JT1G-FT |
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