maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / NSTJD1155LT1G
Référence fabricant | NSTJD1155LT1G |
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Numéro de pièce future | FT-NSTJD1155LT1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NSTJD1155LT1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | - |
Caractéristique FET | - |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSTJD1155LT1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSTJD1155LT1G-FT |
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