maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / NSS12501UW3T2G
Référence fabricant | NSS12501UW3T2G |
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Numéro de pièce future | FT-NSS12501UW3T2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NSS12501UW3T2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 5A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 12V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 120mV @ 400mA, 4A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2A, 2V |
Puissance - Max | 875mW |
Fréquence - Transition | 150MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 3-WDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 3-WDFN (2x2) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS12501UW3T2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSS12501UW3T2G-FT |
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