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Référence fabricant | NSDEMN11XV6T1G |
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Numéro de pièce future | FT-NSDEMN11XV6T1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NSDEMN11XV6T1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 2 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 100mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 70V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-563 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSDEMN11XV6T1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSDEMN11XV6T1G-FT |
NTST40H120ECTG
ON Semiconductor
NTSV30120CTG
ON Semiconductor
NTSV30H100CTG
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MBR40L60CTG
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NTST20U100CTG
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MBR10L60CTG
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EP2C5T144I8
Intel
A1020B-2PQG100I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484C3N
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5SGXEA7K2F40I2N
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EP2AGX45DF25C6
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XC4028EX-3HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP20C-5F256C
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LFE2-12SE-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
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EP3SE80F780C4N
Intel