maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / NSBC114EF3T5G
Référence fabricant | NSBC114EF3T5G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NSBC114EF3T5G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NSBC114EF3T5G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 254mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-1123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-1123 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBC114EF3T5G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSBC114EF3T5G-FT |
SMUN2232T1G
ON Semiconductor
SMUN2111T3G
ON Semiconductor
MMUN2132LT1G
ON Semiconductor
MUN2114T1G
ON Semiconductor
SMUN2230T1G
ON Semiconductor
MMUN2238LT1G
ON Semiconductor
SMMUN2216LT1G
ON Semiconductor
SMUN2213T1G
ON Semiconductor
MMUN2114LT1G
ON Semiconductor
NSVMMUN2112LT1G
ON Semiconductor
XC3S100E-4TQ144I
Xilinx Inc.
M2GL010T-VFG400I
Microsemi Corporation
10CL040YF484C6G
Intel
EP4CGX75CF23I7
Intel
5SGXMA5N3F40I4N
Intel
EP4CE10E22C9LN
Intel
XC7VX690T-1FFG1761C
Xilinx Inc.
XC7S6-2CSGA225I
Xilinx Inc.
A42MX24-FPQ160
Microsemi Corporation
AGL060V2-CS121I
Microsemi Corporation