maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / NSBC113EDXV6T5
Référence fabricant | NSBC113EDXV6T5 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NSBC113EDXV6T5 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NSBC113EDXV6T5 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 1 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 1 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 500mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-563 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBC113EDXV6T5 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSBC113EDXV6T5-FT |
NSBC114EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC143ZPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA115TDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA123TDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA143EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC115TPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC144WDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA144WDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA114TDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC114TDP6T5G
ON Semiconductor
AT6005A-2AI
Microchip Technology
LFE3-35EA-7LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A1440A-1VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8L
Intel
EP2AGX125DF25I5
Intel
EP3C5M164I7N
Intel
5AGZME5H3F35I4N
Intel
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40HX8K-CM225
Lattice Semiconductor Corporation