maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / NSBC113EDXV6T5
Référence fabricant | NSBC113EDXV6T5 |
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Numéro de pièce future | FT-NSBC113EDXV6T5 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NSBC113EDXV6T5 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 1 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 1 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 500mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-563 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBC113EDXV6T5 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSBC113EDXV6T5-FT |
NSBC114EDP6T5G
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NSBC143ZPDP6T5G
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A42MX16-2PQG100I
Microsemi Corporation
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XC7A75T-1CS324I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5F484I
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Lattice Semiconductor Corporation
EP1C20F400C8N
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