maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / NSBA123EDXV6T1
Référence fabricant | NSBA123EDXV6T1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NSBA123EDXV6T1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NSBA123EDXV6T1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 2.2 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 500mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-563 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA123EDXV6T1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSBA123EDXV6T1-FT |
NSBA124EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC115TDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC124EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC143EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC143ZDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA143ZDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA114YDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA123JDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA114EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC123TDP6T5G
ON Semiconductor
LCMXO2-640UHC-5TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-1BGG272M
Microsemi Corporation
A54SX72A-1PQ208
Microsemi Corporation
ICE40UP5K-UWG30ITR
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF8452ATC100-3N
Intel
EP20K60EFC144-3
Intel
5SGXMA9N3F45C2N
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX032E2F29I1SG
Intel