maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / NSB8MTHE3/81
Référence fabricant | NSB8MTHE3/81 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NSB8MTHE3/81 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NSB8MTHE3/81 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 8A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSB8MTHE3/81 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSB8MTHE3/81-FT |
MBRB1045HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1045HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1045TRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1045TRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1050-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1050-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1050HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1050HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1060HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1060HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel