maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / NRVBM110LT3G
Référence fabricant | NRVBM110LT3G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NRVBM110LT3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | POWERMITE® |
NRVBM110LT3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 10V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 415mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 10V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-216AA |
Package d'appareils du fournisseur | Powermite |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVBM110LT3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NRVBM110LT3G-FT |
MUR805
ON Semiconductor
MUR810
ON Semiconductor
MUR8100E
ON Semiconductor
MUR815
ON Semiconductor
MUR840
ON Semiconductor
MUR860
ON Semiconductor
MUR880E
ON Semiconductor
NRVB1035G
ON Semiconductor
NRVTSM245ET1G
ON Semiconductor
NRVBM120LT1G
ON Semiconductor
AX250-FG256I
Microsemi Corporation
MPF300TLS-FCVG484I
Microsemi Corporation
5AGXBA5D6F27C6N
Intel
10M04SFE144I7G
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXEA5K2F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation