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Référence fabricant | NRVBA120ET3G |
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Numéro de pièce future | FT-NRVBA120ET3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NRVBA120ET3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 20V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 595mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 5V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVBA120ET3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NRVBA120ET3G-FT |
NRVBD360VT4G
ON Semiconductor
NRVUD320VT4G
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MBRD835LG
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A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
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10M16DAF256I7G
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EP3SE80F1152C2
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XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
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LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
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