maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / NRV2012T3R3MGFV
Référence fabricant | NRV2012T3R3MGFV |
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Numéro de pièce future | FT-NRV2012T3R3MGFV |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NR, V Type |
NRV2012T3R3MGFV Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 3.3µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 900mA |
Courant - Saturation | 1.25A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 272.4 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | AEC-Q200 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.047" (1.20mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRV2012T3R3MGFV Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NRV2012T3R3MGFV-FT |
NRS5012T3R3MMGF
Taiyo Yuden
NRS5012T4R7MMGF
Taiyo Yuden
NRS5014T100MMGG
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NRS5014T1R2NMGG
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NRS5014T3R3NMGG
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NRS5014T4R7NMGG
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NRS6014T150MMGGV
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XCS05XL-5VQ100C
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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Intel
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Intel
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Microsemi Corporation
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