maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / NRS6012T4R7MMGGV
Référence fabricant | NRS6012T4R7MMGGV |
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Numéro de pièce future | FT-NRS6012T4R7MMGGV |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NR, S Type |
NRS6012T4R7MMGGV Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 4.7µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.55A |
Courant - Saturation | 1.6A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 36MHz |
Évaluations | AEC-Q200 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.047" (1.20mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRS6012T4R7MMGGV Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NRS6012T4R7MMGGV-FT |
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Taiyo Yuden
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
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A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
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