maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / NRS6012T1R5NMGGV
Référence fabricant | NRS6012T1R5NMGGV |
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Numéro de pièce future | FT-NRS6012T1R5NMGGV |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NR, S Type |
NRS6012T1R5NMGGV Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 1.5µH |
Tolérance | ±30% |
Note actuelle | 2.1A |
Courant - Saturation | 2.6A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 80.4 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 69MHz |
Évaluations | AEC-Q200 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.047" (1.20mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRS6012T1R5NMGGV Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NRS6012T1R5NMGGV-FT |
NRS5014T6R8MMGG
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NRS5030T220MMGJ
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel