maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / NRS5012T4R7MMGFV
Référence fabricant | NRS5012T4R7MMGFV |
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Numéro de pièce future | FT-NRS5012T4R7MMGFV |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NR, S Type |
NRS5012T4R7MMGFV Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 4.7µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.4A |
Courant - Saturation | 2.2A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 216 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 40MHz |
Évaluations | AEC-Q200 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.193" L x 0.193" W (4.90mm x 4.90mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.047" (1.20mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRS5012T4R7MMGFV Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NRS5012T4R7MMGFV-FT |
NS10145T221MNA
Taiyo Yuden
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XC4005XL-2TQ144C
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XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208
Microsemi Corporation
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5SGXEABK2H40I2LN
Intel
5SGXMABK2H40I3LN
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A42MX09-PL84I
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K3F35E2SG
Intel
EP3C80F780C7N
Intel