maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / NRS5010T6R8MMGFV
Référence fabricant | NRS5010T6R8MMGFV |
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Numéro de pièce future | FT-NRS5010T6R8MMGFV |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NR, S Type |
NRS5010T6R8MMGFV Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 6.8µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1A |
Courant - Saturation | 1A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 222 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 33MHz |
Évaluations | AEC-Q200 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.193" L x 0.193" W (4.90mm x 4.90mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRS5010T6R8MMGFV Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NRS5010T6R8MMGFV-FT |
NS10155T220MNA
Taiyo Yuden
NS10155T6R8NNA
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel