maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / NRS4018T221MDGJV
Référence fabricant | NRS4018T221MDGJV |
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Numéro de pièce future | FT-NRS4018T221MDGJV |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NR, S Type |
NRS4018T221MDGJV Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 220µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 170mA |
Courant - Saturation | 275mA |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 4.56 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 4MHz |
Évaluations | AEC-Q200 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.157" L x 0.157" W (4.00mm x 4.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.071" (1.80mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRS4018T221MDGJV Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NRS4018T221MDGJV-FT |
NRS8030T4R7MJGJV
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Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
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APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
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A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
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5SGXEA7H3F35C2N
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5AGXMA5G4F31C4N
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