maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / NRS2012T4R7MGJ
Référence fabricant | NRS2012T4R7MGJ |
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Numéro de pièce future | FT-NRS2012T4R7MGJ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NR, S Type |
NRS2012T4R7MGJ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 4.7µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 910mA |
Courant - Saturation | 900mA |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 241 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 120°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.047" (1.20mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRS2012T4R7MGJ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NRS2012T4R7MGJ-FT |
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Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-1FB484C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FF1761I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34E3SG
Intel
EP3C25F324I7
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EP20K300EQC208-2
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