maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / NRS2012T3R3MGJV
Référence fabricant | NRS2012T3R3MGJV |
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Numéro de pièce future | FT-NRS2012T3R3MGJV |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NR, S Type |
NRS2012T3R3MGJV Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 3.3µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.02A |
Courant - Saturation | 1A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 190 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | AEC-Q200 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.047" (1.20mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRS2012T3R3MGJV Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NRS2012T3R3MGJV-FT |
NRS5014T4R7NMGG
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XC4005E-2PQ208I
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XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXEB6R3F40C2N
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5SGSMD3E3H29C4N
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5SGSMD6N3F45I3N
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5SGXEB6R2F43I3L
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Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EP4SGX230FF35C4
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