maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / NRH3010T2R2MNV
Référence fabricant | NRH3010T2R2MNV |
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Numéro de pièce future | FT-NRH3010T2R2MNV |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NR, H Type |
NRH3010T2R2MNV Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.3A |
Courant - Saturation | 1.3A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 99.6 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 86MHz |
Évaluations | AEC-Q200 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRH3010T2R2MNV Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NRH3010T2R2MNV-FT |
NS12575T3R9NN
Taiyo Yuden
NS12575T6R8NN
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NS12555T102MN
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XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel