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Renesas Electronics America NP109N055PUJ-E1B-AY

Name: NP109N055PUJ-E1B-AY
Brand: Renesas Electronics America
SKU: NP109N055PUJ-E1B-AY
Availability: InStock
Rating: 4.6 (19 reviews)

Numéro de pièce MFG: NP109N055PUJ-E1B-AY

quantité disponible: 42660 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Renesas Electronics America

Brève description: - MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NP109N055PUJ-E1B-AY.pdf

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NP109N055PUJ-E1B-AY Caractéristiques

Référence fabricant	NP109N055PUJ-E1B-AY
Numéro de pièce future	FT-NP109N055PUJ-E1B-AY
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
NP109N055PUJ-E1B-AY Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	110A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	180nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	10350pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.8W (Ta), 220W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-263
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NP109N055PUJ-E1B-AY Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NP109N055PUJ-E1B-AY-FT

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