maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / NP05DB100M
Référence fabricant | NP05DB100M |
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Numéro de pièce future | FT-NP05DB100M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | N, P Type |
NP05DB100M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | - |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 10µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.6A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 100 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 25MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.240" L x 0.232" W (6.10mm x 5.90mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.110" (2.80mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP05DB100M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NP05DB100M-FT |
N08DPA120K
Taiyo Yuden
N08DPA150K
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N08DPA151K
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
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5SGXEA7H3F35C2N
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5AGXMA5G4F31C4N
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