maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs à l'oxyde de niobium / NOSE227M006R0080
Référence fabricant | NOSE227M006R0080 |
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Numéro de pièce future | FT-NOSE227M006R0080 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OxiCap® NOS |
NOSE227M006R0080 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 220µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 6.3V |
ESR (résistance série équivalente) | 80 mOhms |
Courant - Fuite | 26.4µA |
Facteur de dissipation | 12% |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2917 (7343 Metric) |
Code de taille du fabricant | E |
Hauteur - assis (max) | 0.169" (4.30mm) |
Caractéristiques | Low ESR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Package d'appareils du fournisseur | 2917 (7343 Metric) |
Taille / Dimension | 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NOSE227M006R0080 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NOSE227M006R0080-FT |
NOJC157M002RWJ
AVX Corporation
NOJC157M002SWJ
AVX Corporation
NOJC157M004RWJ
AVX Corporation
NOJC157M006RWJ
AVX Corporation
NOJC226M010RWJ
AVX Corporation
NOJC227M001RWJ
AVX Corporation
NOJC227M002RWJ
AVX Corporation
NOJC227M004RWJ
AVX Corporation
NOJC336M006RWJ
AVX Corporation
NOJC337M001RWJ
AVX Corporation
A3P125-2TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO640C-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL025-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
A3P060-VQ100I
Microsemi Corporation
10CL080YF484I7G
Intel
10M16DCF484A7G
Intel
10CL010YU256C8G
Intel
EP2AGZ300HF40C3N
Intel
XC6VHX380T-3FFG1923C
Xilinx Inc.