maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs à l'oxyde de niobium / NOSD477M004R0100
Référence fabricant | NOSD477M004R0100 |
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Numéro de pièce future | FT-NOSD477M004R0100 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OxiCap® NOS |
NOSD477M004R0100 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 470µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 4V |
ESR (résistance série équivalente) | 100 mOhms |
Courant - Fuite | 37.6µA |
Facteur de dissipation | 12% |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2917 (7343 Metric) |
Code de taille du fabricant | D |
Hauteur - assis (max) | 0.122" (3.10mm) |
Caractéristiques | Low ESR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Package d'appareils du fournisseur | 2917 (7343 Metric) |
Taille / Dimension | 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NOSD477M004R0100 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NOSD477M004R0100-FT |
NOJC157M001RWJ
AVX Corporation
NOJC157M002RWJ
AVX Corporation
NOJC157M002SWJ
AVX Corporation
NOJC157M004RWJ
AVX Corporation
NOJC157M006RWJ
AVX Corporation
NOJC226M010RWJ
AVX Corporation
NOJC227M001RWJ
AVX Corporation
NOJC227M002RWJ
AVX Corporation
NOJC227M004RWJ
AVX Corporation
NOJC336M006RWJ
AVX Corporation
LCMXO2-2000ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-FCSG325I
Microsemi Corporation
XA6SLX75T-2FGG484Q
Xilinx Inc.
5CEBA7F27C7N
Intel
10M50DAF484C6GES
Intel
5SGXMA3E2H29C2LN
Intel
A42MX16-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HE-5FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation