maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs à l'oxyde de niobium / NOSD227M004R0100
Référence fabricant | NOSD227M004R0100 |
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Numéro de pièce future | FT-NOSD227M004R0100 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OxiCap® NOS |
NOSD227M004R0100 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 220µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 4V |
ESR (résistance série équivalente) | 100 mOhms |
Courant - Fuite | 17.6µA |
Facteur de dissipation | 8% |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2917 (7343 Metric) |
Code de taille du fabricant | D |
Hauteur - assis (max) | 0.122" (3.10mm) |
Caractéristiques | Low ESR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Package d'appareils du fournisseur | 2917 (7343 Metric) |
Taille / Dimension | 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NOSD227M004R0100 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NOSD227M004R0100-FT |
NOJC107M001RWJ
AVX Corporation
NOJC107M002RWJ
AVX Corporation
NOJC107M002SWJ
AVX Corporation
NOJC107M004RWJ
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NOJC107M006RWJ
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NOJC157M001RWJ
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NOJC157M002RWJ
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NOJC157M002SWJ
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NOJC157M004RWJ
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NOJC157M006RWJ
AVX Corporation
XC6SLX75T-3CSG484C
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FG456I
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
LFE2M70E-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF8282ATC100-3
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5SGXMA5K2F40I2N
Intel
EP1S40F1508C5N
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EP1S80F1508I7N
Intel
EP3SL70F780C4
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel