maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs à l'oxyde de niobium / NOSD107M006R0080
Référence fabricant | NOSD107M006R0080 |
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Numéro de pièce future | FT-NOSD107M006R0080 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OxiCap® NOS |
NOSD107M006R0080 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 100µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 6.3V |
ESR (résistance série équivalente) | 80 mOhms |
Courant - Fuite | 12µA |
Facteur de dissipation | 6% |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2917 (7343 Metric) |
Code de taille du fabricant | D |
Hauteur - assis (max) | 0.122" (3.10mm) |
Caractéristiques | Low ESR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Package d'appareils du fournisseur | 2917 (7343 Metric) |
Taille / Dimension | 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NOSD107M006R0080 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NOSD107M006R0080-FT |
NOJC476M006RWJ
AVX Corporation
NOSC107M004R0070
AVX Corporation
NOJC107M001RWJ
AVX Corporation
NOJC107M002RWJ
AVX Corporation
NOJC107M002SWJ
AVX Corporation
NOJC107M004RWJ
AVX Corporation
NOJC107M006RWJ
AVX Corporation
NOJC157M001RWJ
AVX Corporation
NOJC157M002RWJ
AVX Corporation
NOJC157M002SWJ
AVX Corporation
XC2S50-6TQ144C
Xilinx Inc.
XA3S1000-4FTG256Q
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208
Microsemi Corporation
EP4SE820F43I4N
Intel
A1020B-2PL44I
Microsemi Corporation
XC7VX485T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-L1FF1156I
Xilinx Inc.
A54SX16A-2FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5
Intel