maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs à l'oxyde de niobium / NOSD107M006R0080
Référence fabricant | NOSD107M006R0080 |
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Numéro de pièce future | FT-NOSD107M006R0080 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OxiCap® NOS |
NOSD107M006R0080 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 100µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 6.3V |
ESR (résistance série équivalente) | 80 mOhms |
Courant - Fuite | 12µA |
Facteur de dissipation | 6% |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2917 (7343 Metric) |
Code de taille du fabricant | D |
Hauteur - assis (max) | 0.122" (3.10mm) |
Caractéristiques | Low ESR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Package d'appareils du fournisseur | 2917 (7343 Metric) |
Taille / Dimension | 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NOSD107M006R0080 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NOSD107M006R0080-FT |
NOJC476M006RWJ
AVX Corporation
NOSC107M004R0070
AVX Corporation
NOJC107M001RWJ
AVX Corporation
NOJC107M002RWJ
AVX Corporation
NOJC107M002SWJ
AVX Corporation
NOJC107M004RWJ
AVX Corporation
NOJC107M006RWJ
AVX Corporation
NOJC157M001RWJ
AVX Corporation
NOJC157M002RWJ
AVX Corporation
NOJC157M002SWJ
AVX Corporation
LCMXO2-1200HC-4TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1000-4FGG456I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
EP20K300EFI672-3
Intel
EP3C25E144I7N
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5SGXEA9N3F45I3LN
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5SGXEA5H3F35I3L
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5SGXEA4K2F35I3N
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LFXP3C-3QN208C
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LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation